CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究

• 作者: 付晓东 张春朋 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶电容 CMOS 工艺误差 共心分布
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 2965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.01.006

摘要

研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响.基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法.采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵列的开关电容带通滤波器,实验结果表明本文的CMOS多晶电容设计方法具有较高的精度,能直接用于亚微米及深亚微米集成电路设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	张春朋	西安电子科技大学微电子研究所	5	23	2.0	4.0
4	付晓东	西安电子科技大学微电子研究所	3	13	2.0	3.0