半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷

• 作者: 吕旭如 孙文荣 杨子祥 段满龙 王应利 董志远 赵有文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 半绝缘 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 535-538
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.015

摘要

在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷.通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关.迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于0.1～0.4eV之间的缺陷.高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料.根据这些结果,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵有文	中国科学院半导体研究所材料科学中心	42	217	7.0	11.0
2	董志远	中国科学院半导体研究所材料科学中心	25	154	7.0	11.0
3	段满龙	中国科学院半导体研究所材料科学中心	11	95	5.0	9.0
4	孙文荣	中国科学院半导体研究所材料科学中心	7	36	4.0	6.0
5	杨子祥	中国科学院半导体研究所材料科学中心	7	32	4.0	5.0
6	吕旭如	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	22	3.0	3.0
7	王应利	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	21	3.0	3.0