SOI材料上硅薄膜电池的研究

• 作者: 励旭东 叶小琴 吴虎才 周宏余 王文静 许颖
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 化学汽相沉积 薄膜 电池转换效率
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 133-137
• 页数: 5页
• 分类号: TK154
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2004.02.002

摘要

用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(Silicon On Insulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8.12%(1×1cm2,AM1.5,23℃).扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴虎才	北京师范大学低能核物理研究所	1	3	1.0	1.0
2	许颖		39	349	12.0	17.0
3	王文静		35	350	10.0	18.0
4	励旭东		15	191	8.0	13.0
5	叶小琴	北京师范大学低能核物理研究所	3	18	2.0	3.0
6	周宏余	北京师范大学低能核物理研究所	18	70	4.0	8.0