中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

• 作者: 于民 张兴 施小康 石浩 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 剂量效应 模拟 分子动力学
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 346-350
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 3680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.022

摘要

在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	于民	北京大学微电子学研究所	6	10	3.0	3.0
4	石浩	北京大学微电子学研究所	3	5	2.0	2.0
5	施小康	北京大学微电子学研究所	2	3	1.0	1.0