三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元

• 作者: 刘文楷 安艳伟 张存善 林世鸣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体微腔 腔极化激元 激子
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1319-1323
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3491字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.025

摘要

半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下,三维半导体微腔中空腔腔模的能量与微腔半径的关系;及腔模和激子模耦合后,三维半导体柱型微腔中具有相同角量子数和径向量子数的两个低阶腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元能量随微腔半径变化的情况.结果表明随着微腔半径的减小腔模能量蓝移,腔模与相应的重空穴激子模、轻空穴激子模耦合形成的腔极化激元的三支随着微腔半径的减小存在明显的反交叉行为.随着微腔半径的变化,极化激元的三支所体现的模式的特性是变化的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘文楷	北方工业大学信息工程学院	32	108	6.0	9.0
2	张存善	河北工业大学电气信息学院	34	249	7.0	14.0
3	安艳伟	北方工业大学信息工程学院	16	39	3.0	5.0
4	林世鸣	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	15	49	5.0	6.0