MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

• 作者: 于彤军 张国义 秦志新 童玉珍 胡晓东 陆曙 陈志忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相分离 InGaN InN XRD MOCVD
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 279-283
• 页数: 5页
• 分类号: TB312.8
• 字数: 2624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.008

摘要

利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的含量与生长时N2载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明InGaN合金中出现InN相的主要原因是相分离.