硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究

• 作者: 孟令琴 费元春
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 砷化镓场效应管 异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 78-81
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2004.01.020

摘要

本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件在无线通信领域优良的性能, 低廉的成本, 可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力. 硅互补型金属氧化物半导体(Si CMOS)工艺因其低廉的成本, 较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础, 而硅锗互补型金属氧化物半导体/硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe CMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺的优点, 又有良好的高频性能, 特别是SiGe HBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段, 而其成本和噪声性能是砷化镓(GaAs)材料无法比拟的. 随着对SiGe HBT, 硅锗场效应晶体管(SiGe FET)的研究, SiGe器件的高频性能, 低噪声性能, 功率和线性性能将得到展现, 为进一步降低收发信机的成本, 提高其集成度打下了基础, 展现了SiGe技术的无线领域广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	费元春	北京理工大学电子工程系微波电路实验室	110	1140	17.0	28.0
2	孟令琴		1	6	1.0	1.0