Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响

• 作者: 周天明 孙慧卿 李述体 王浩 范广涵 郑树文 郭志友
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGalnP AlGalnP/GaInP多量子阱 X射线双晶衍射 Si掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 375-378
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.04.008

摘要

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性能的影响.研究表明:掺Si能大大提高(Al0.3Gao7)0.5In0.5P/Gao5In0.5P多量子阱的发光强度.相对于未故意掺杂的样品,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍.外延片的X射线双晶衍射测试表明,Si掺杂并没有使多量子阱的界面质量变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	王浩	华南师范大学光电子材料与技术研究所	14	108	5.0	10.0
3	孙慧卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	25	272	9.0	16.0
4	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
5	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
6	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0