0.25μm GaAs基MHEMT器件

• 作者: 刘训春 张海英 汪宁 王润梅 石华芬 石瑞英 罗明雄
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟铝砷/铟镓砷 变组分高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 325-328
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.018

摘要

采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs/InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT),测得其跨导为522mS/mm,沟道电流密度达490mA/mm,截止频率为75GHz,比同样工艺条件下GaAs基InGaP/InGaAs PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子中心	114	574	11.0	17.0
2	石瑞英	中国科学院微电子中心	7	61	5.0	7.0
6	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
7	石华芬	中国科学院微电子中心	4	36	4.0	4.0
11	罗明雄	中国科学院微电子中心	5	20	3.0	4.0
12	王润梅	中国科学院微电子中心	15	78	6.0	8.0
13	汪宁	中国科学院微电子中心	9	46	4.0	6.0