双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型

• 作者: 刘新宇 吴德馨 陈震
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电荷控制模型 异质结 二维电子气 双面平掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 836-840
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 2345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.018

摘要

利用泊松方程以及异质结能带理论,通过费米能级-二维电子气浓度的线性近似,推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型.计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系.该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	陈震	中国科学院微电子研究所	10	69	4.0	8.0