铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭

• 作者: 倪梦莹 曹小龙 李媛媛 李清山 王会新
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 光致发光 傅里叶变换红外 浸泡镀敷 猝灭
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 556-560
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.018

摘要

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响.实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移.由于多孔硅表面铜的吸附使硅-氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减.且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显.而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故.