GeSbTe 与 AgInSbTe 体系相变光盘的研究进展

• 作者: 吴谊群 干福熹 张广军 王阳 顾冬红
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 相变 光盘 光存储 高密度存储 蓝光
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 345-350
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.05.008

摘要

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现,其中研究较多的是GeSbTe 和AgInSbTe两种体系.文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点,阐述了其晶化机理;同时,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响,并对比说明了GeSbTe 和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室	288	2527	23.0	29.0
2	顾冬红	中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室	65	551	12.0	19.0
3	吴谊群	中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室	42	237	9.0	13.0
4	王阳	中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室	45	111	6.0	7.0
5	张广军	中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室	6	17	3.0	3.0