GaAs极化电子源实验研究

• 作者: 阮存军
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs晶体 激活过程 极化电子束
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 物理实验与应用
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: O572.2
• 字数: 3621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2004.01.004

摘要

对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究,着重采用2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量,以达到最佳的激活状态,并获得了一些有意义的实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮存军	清华大学物理系	7	18	2.0	4.0