高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

• 作者: Bai Dafu Liu Xunchun Sun Haifeng Wang Runmei Yuan Zhipeng 刘训春 孙海锋 王润梅 白大夫 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 756-761
• 页数: 6页
• 分类号: TN385
• 字数: 925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.003

摘要

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异.