AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响

• 作者: 周春红 孔月婵 张荣 施毅 江若琏 沈波 邓永桢 郑有炓 韩平 顾书林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-x N/GaN异质结构,二维电子气,自发极化,压电极化
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2320-2324
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3565字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.07.056

摘要

从Ⅲ族氮化物中压电极化对应变弛豫度的依赖关系出发,通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分别研究了自发极化、压电极化和AlGaN势垒层掺杂对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气的浓度、分布、面密度以及子带分布等性质的影响.结果表明:二维电子气性质强烈依赖于极化效应,不考虑AlGaN势垒层掺杂,当Al组分为0.3时,由极化导致的二维电子气浓度达1.6×1013cm-2,其中压电极化对二维电子气贡献为0.7×1013cm-2,略小于自发极化的贡献(0.9×1013 cm-2,但为同一数量级,因而通过控制AlGaN层应变而改变极化对于提高二维电子气浓度至关重要.AlGaN势垒层掺杂对二维电子气的影响较弱,当掺杂浓度从1×1017增加到1×1018cm-3时,二维电子气面密度增加O.2×1013cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
2	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
3	顾书林	南京大学物理系	46	261	9.0	14.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	江若琏	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
7	韩平	南京大学物理系	22	92	6.0	9.0
8	孔月婵	南京大学物理系	4	37	2.0	4.0
9	周春红	南京大学物理系	1	16	1.0	1.0
10	邓永桢	南京大学物理系	1	16	1.0	1.0