退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响

• 作者: 屠海令 郑安生 黎建明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 断裂模数 退火
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.008

摘要

在LEC GaAs晶片中,存在相当大的弹性应变,在高温退火后,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的70%,残余应力得以部分释放,从而减小残余应力诱生断裂的可能性,提高了GaAs晶体的断裂模数.原生GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa,而退火GaAs晶体加工的样品的断裂模数平均值更高,约为150MPa,断裂模数最高值达163MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	郑安生		11	36	3.0	5.0
3	黎建明		14	61	5.0	7.0