一步法制备的ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻电性能研究

• 作者: 吴隽 宋武林 张杰 柏自奎 王爱华 谢长生
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 四足状 ZnO 纳米 压敏电阻
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2004.01.007

摘要

以四足状纳米ZnO粉末为原料,以制备硼酸铅锌玻璃的氧化物替代硼酸铅锌玻璃直接进行共烧结,制备出了ZnO-硼硅酸铅锌玻璃压敏电阻,并对其电性能进行了研究.研究结果表明:最佳添加量为13.0 wt%～17.4 wt%.当添加量在13.0 wt%～17.4 wt%时,在900～1 170℃温度范围,烧结温度对压敏电阻的漏电流IL和非线性系数α的影响很小.含13.0 wt%添加剂的样品,其最大非线性系数α和最小漏电流IL分别为38.7和1.7 μA.烧结温度的降低主要源自于纳米ZnO粉末和添加了硼酸铅锌玻璃"形成"氧化物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢长生	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	348	4405	33.0	51.0
2	宋武林	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	42	352	11.0	17.0
3	张杰	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	130	1251	19.0	29.0
4	王爱华	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	66	787	15.0	26.0
5	柏自奎	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	9	127	6.0	9.0
6	吴隽	华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室	2	26	2.0	2.0