Al2O3掺杂对YSZ固体电解质烧结及电性能的影响

• 作者: 何莉萍 利明 向兰翔 李素芳 梁雪元 罗上庚 邹长贵 陈宗璋
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锆 Al2O3 氧离子空穴 空间电荷层
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 686-690
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.041

摘要

研究了用常规共沉淀法掺杂Al2O3对YSZ固体电解质的烧结及电性能的影响.结果表明:适量的Al2O3能提高YSZ材料的烧结性能,促使其致密化,但过量的Al2O3对材料的致密化不利;同时,材料的晶界电导随Al2O3含量的增大表现出先增大后减小的变化趋势,这与Al2O3对YSZ晶界两方面的不同影响有关,Al2O3偏析于晶界一方面能清除晶界上对氧离子电导不利的SiO2,但另一方面也会降低晶界空间电荷层中的自由氧离子空穴的浓度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李素芳	湖南大学化学化工学院	45	391	12.0	17.0
2	何莉萍	湖南大学化学化工学院	58	1243	19.0	34.0
3	陈宗璋	湖南大学化学化工学院	94	1413	21.0	34.0
4	罗上庚		34	529	12.0	22.0
5	梁雪元		2	29	2.0	2.0
6	向兰翔		3	64	3.0	3.0
7	利明	湖南大学化学化工学院	2	18	2.0	2.0
8	邹长贵		1	15	1.0	1.0