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摘要:
We have studied the densification behaviour, microstructure and electrical properties of WO3 ceramics with V2O5as the additive ranging from 0.5 to 15mo1%. Scanning electron microscopic photos indicated that the grain size of WO3-V2O5 specimens is smaller than that of pure WO3. The addition of V2O5 to WO3 showed a tendency to enhance the densification rate and to restrict the grain growth. Electrical properties of all specimens were measured for different electrodes at different temperatures. The formation of the grain boundary barrier layer was confirmed by the non-ohmic I-V behaviour. The nonlinear coefficient was obtained at the current density J=0.01, 0.1 and 1mA-cm2 for a series of WO3-V2O5 samples. The V0.Smol% specimen showed an abnormal phenomenon that the nonlinear characteristics appeared at 350℃ and disappeared at lower and higher temperatures. This implies that it could be applied as a hightemperature varistor. The double Schottky barrier model was adopted to explain the phenomena for the WO3-V2O5varistors.
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文献信息
篇名 Nonlinear current-voltage characteristics of sintered tungsten-vanadium oxide
来源期刊 中国物理(英文版) 学科
关键词 V2O5-WO3 ceramics current-voltage characteristics microstructure
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 522-528
页数 7页 分类号
字数 语种 英文
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节点文献
V2O5-WO3 ceramics
current-voltage characteristics
microstructure
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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