Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长

• 作者: 刘宏新 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 GaN 柔性衬底 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 678-681
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.012

摘要

使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN外延层中的应力及其光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所	251	4235	35.0	54.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
3	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
4	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
6	刘宏新	中国科学院半导体研究所	6	56	4.0	6.0
7	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0