氧化热处理对SrTiO3基环形压敏电阻电性能的影响

• 作者: 何新华 朱建红 江涛 蔡伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶基瓷 氧化热处理 晶界缺陷行为
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.1
• 字数: 2302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.01.010

摘要

研究了氧化热处理对SrTiO3基环形压敏电阻电性能的影响.实验结果表明,压敏电压(V1mA)、电压指数(-)和表观电阻率(-)随温度(600～ 1 100℃)、时间、氧压的增加而上升;电容量(C)、介质损耗(tg-)随之增加而减少;反之,则相反.由复阻抗测试和扩散机制分析认为:氧化热处理的扩散过程主要发生在晶界,电性能的变化决定于晶界扩散和晶界缺陷行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何新华	华南理工大学电子材料与元件系	29	161	7.0	11.0
2	江涛	华南理工大学电子材料与元件系	18	107	6.0	10.0
3	朱建红	华南理工大学电子材料与元件系	1	6	1.0	1.0
4	蔡伟		1	6	1.0	1.0