电阻蒸发Ga2O3薄膜成分和结构的研究

• 作者: 张浩康 王震 黄蕙芬
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 蒸发 Ga2O3 薄膜 结构 成分
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.01.010

摘要

采用电阻蒸发镀膜技术制备了Ga2O3薄膜,并进行了500℃和800℃的大气热处理.分别用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了它们的成分和晶体结构.实验结果表明:采用电阻蒸发镀膜技术制备的Ga2O3薄膜呈现非晶结构,薄膜成分沿深度方向的均匀性较差.经过500℃热处理后,薄膜转化为单斜结构(β相),薄膜成份的均匀性得到改善.经800℃热处理后,可以得到成份均匀的β-Ga2O3薄膜.并且,在不同的热处理温度下,薄膜的结晶取向也有所不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄蕙芬	东南大学电子工程系	10	63	5.0	7.0
2	张浩康	东南大学电子工程系	11	24	4.0	4.0
3	王震	东南大学电子工程系	17	55	4.0	7.0