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摘要:
Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.
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文献信息
篇名 一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Nd:YxGd1-xVO4混晶 晶体生长 性质 激光 调Q
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 868-870,834
页数 4页 分类号 O782.5
字数 1794字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 祝俐 7 65 3.0 7.0
2 侯学元 22 186 7.0 12.0
3 孟宪林 21 136 7.0 10.0
4 刘均海 18 208 8.0 14.0
5 姜付义 烟台大学环境与材料工程学院 21 116 7.0 10.0
6 徐惠忠 烟台大学环境与材料工程学院 53 266 10.0 14.0
7 秦连杰 烟台大学环境与材料工程学院 16 72 5.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
Nd:YxGd1-xVO4混晶
晶体生长
性质
激光
调Q
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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