浅析MCVD工艺中优化光纤（G.652）损耗的一种方法

• 作者: 唐凤再
• 来源期刊: 网络电信
• 学科: 工学
• 关键词: MCVD G.652 光纤预制棒 传输损耗 二氧化锗 包层 拉丝 工艺 机理 降低
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN818

摘要

传输损耗是光纤的重要参数．本文阐述了MCVD工艺中优化光纤(G．652)损耗的一种方法．即在光纤预制棒的制作过程中．在近芯包层沉积一定量的二氧化锗．用以降低光纤预制棒芯部和包层的锗的浓度梯度．从而减少高温拉丝过程中在光纤中形成的缺陷．为拉丝工艺提供了一个稳定的工作范围．避免光纤在1310nm和1550nm下产生较高的损耗．并使光纤在1500nm下具有更低的损耗．并对其机理作了简要的分析。

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1	唐凤再		1	0	0.0	0.0