薄栅氧高压CMOS器件研制

• 作者: 于洋 仙文岭 刘奎伟 钱鹤 陈则瑞 韩郑生 饶竞时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 568-572
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN405
• 字数: 2595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.017

摘要

研制了与0.5μm标准CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压CMOS器件.提出了具体的工艺制作流程-在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程,并成功进行了流片试验.测试结果显示,高压NMOS耐压达到98V,高压PMOS耐压达到-66V.此结构的高压CMOS器件适用于耐压要求小于60V的驱动电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
3	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
5	刘奎伟	中国科学院微电子中心	2	10	2.0	2.0
10	陈则瑞		3	10	2.0	3.0
11	于洋		2	10	2.0	2.0
12	仙文岭		2	10	2.0	2.0
13	饶竞时		2	10	2.0	2.0