退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响

• 作者: 冷文建 廖家轩 杨传仁 符春林 赵莉 陈宏伟 高志强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机陶瓷材料 BST薄膜 退火 择优取向 RMS XRD AFM
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN384
• 字数: 2772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.007

摘要

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500～750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向.退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨传仁	电子科技大学微电子与固体电子学院	69	525	11.0	18.0
2	陈宏伟	电子科技大学微电子与固体电子学院	51	360	10.0	15.0
3	冷文建	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	26	2.0	3.0
4	廖家轩	电子科技大学微电子与固体电子学院	22	106	7.0	8.0
5	符春林	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	239	10.0	15.0
6	赵莉	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	54	5.0	6.0
7	高志强	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	54	5.0	6.0