铁氰化锰修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

• 作者: 刘六战 刘有芹 沈含熙 金松子
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 铁氰化锰 玻碳电极 膜生长机理 循环伏安法 电催化
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 847-851
• 页数: 5页
• 字数: 4539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2004.07.002

摘要

采用循环伏安法成功制备了铁氰化锰(MnHCF)膜修饰玻碳(GC)电极.探讨了影响膜电沉积的各种因素,通过扫描电位范围对膜电沉积的影响,确定MnHCF膜的组成为Mn3+Fe3+(CN)6[普鲁士黄类似物Fe3+Fe3+(CN)6].首次发现在整个膜电沉积过程中存在3个阶段,最后阶段对制备均匀、致密的MnHCF/GC电极至关重要.阴离子的种类对MnHCF/GC电极的伏安特性及电催化活性有显著的影响,只有当支持电解质中含有HPO2-4离子时,MnHCF膜修饰电极对H2O2的电氧化才表现出良好的电催化作用.在0.10 mol/L Na2HPO4溶液中,催化电流Δipa与过氧化氢浓度(CH2O2)的线性关系为:Δipa(μA) = 2.8432 + 2.2289×104CH2O2(mol/L) (R=0.9944,n=9);线性范围为1.4×10-5～1.8×10-3 mol/L;检出限为3.6×10-6 mol/L (S/k=3).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈含熙	南开大学化学系	39	803	15.0	27.0
2	金松子	南开大学化学系	8	117	5.0	8.0
3	刘有芹	南开大学化学系	5	154	5.0	5.0
4	刘六战	南开大学化学系	11	160	6.0	11.0