n型高阻硅单晶电阻率均匀性的控制

• 作者: 佟丽英 刘锋 张继荣 殷海丰 赵光军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 电阻率 均匀性 磁场强度
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2031字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.09.020

摘要

通过不同工艺的拉晶实验,发现晶转、拉速、热对流等因素对高阻n〈111〉硅单晶径向电阻率均匀性有所影响.采用水平磁场拉晶工艺,通过提高晶转、增大拉速、减小热对流等,可有效提高硅单晶径向电阻率均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张继荣		1	0	0.0	0.0
2	殷海丰		1	0	0.0	0.0
3	佟丽英		1	0	0.0	0.0
4	刘锋		1	0	0.0	0.0
5	赵光军		1	0	0.0	0.0