钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响

• 作者: 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海锋 袁志鹏 郑丽萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钝化边 直流增益 异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 312-315
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2488字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.015

摘要

采用全耗尽的InGaP材料在基区GaAs表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT).通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子中心	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	和致经	中国科学院微电子中心	36	229	9.0	13.0
5	郑丽萍	中国科学院微电子中心	5	86	2.0	5.0
6	袁志鹏	中国科学院微电子中心	11	33	3.0	5.0