硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究

• 作者: 任国浩 史宏声 李焕英 秦来顺 陆晟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅酸镥 闪烁晶体 晶体生长 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 999-1003
• 页数: 5页
• 分类号: O782.5
• 字数: 1608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.027

摘要

本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体,讨论了晶体生长中遇到的问题,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷.开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的,其中热应力是导致开裂的主要因素,优化生长工艺条件可完全避免开裂.晶体中存在两种包裹物,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱,氧化镥很可能是未参加反应的原料,也有可能是氧化硅挥发而导致氧化镥析出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国浩	中国科学院上海硅酸盐研究所	59	357	9.0	15.0
2	秦来顺	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	71	5.0	7.0
3	陆晟	中国科学院上海硅酸盐研究所	12	58	5.0	7.0
4	李焕英	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	61	5.0	7.0
5	史宏声	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	61	3.0	6.0