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摘要:
提出了一种新的建立集约模型的方法,即栅电容修正法.此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中.另外,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型.该模型与数值模拟结果吻合.模型结果和模拟结果均表明,多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反.
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内容分析
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文献信息
篇名 GCS法及多晶区量子效应的集约建模
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 集约模型 纳米级 栅电容修正法 多晶区内的量子力学效应
年,卷(期) 2004,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1599-1605
页数 7页 分类号 TN304.02
字数 4128字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张大伟 清华大学微电子学研究所 19 414 9.0 19.0
2 章浩 清华大学电子工程系 7 10 2.0 2.0
3 余志平 清华大学微电子学研究所 45 158 7.0 10.0
4 田立林 清华大学微电子学研究所 31 116 6.0 8.0
传播情况
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2004(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集约模型
纳米级
栅电容修正法
多晶区内的量子力学效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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