一种10-ppm/℃低压CMOS带隙电压基准源设计

• 作者: 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 118-120,228
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2004.04.027

摘要

在对传统CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈和电阻二次分压技术,提出了一种10-ppm/oC低压CMOS带隙电压基准源.采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路的设计,放大器的输出用于产生自身的电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR).整个电路采用TSMC0.35(mCMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0