用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻

• 作者: 冯伯儒 张锦 郭永康
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 干涉光刻 多光束干涉 焦深 阵列图形
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 微光学
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3300字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2004.03.003

摘要

用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深.该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作.模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光束单曝光的干涉场光强分布,用波长为441.6nm的激光曝光得到尺寸为200nm的孔阵和点阵的图形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理系	87	836	16.0	21.0
2	张锦	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	26	204	8.0	13.0
6	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0