直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征

• 作者: 于本海 席再军 秦应雄 童杏林 胡兵 郑启光
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 直流放电 GaN薄膜 AlN缓冲层
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 165-169
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.009

摘要

采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;在150～220mJ/Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,GaN薄膜表面结构得到改善.研究发现,在700℃衬底温度、20Pa的沉积气压和220mJ/Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的GaN薄膜具有良好的结构质量和光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑启光	华中科技大学激光技术国家重点实验室	32	305	10.0	15.0
2	童杏林	华中科技大学激光技术国家重点实验室	11	93	8.0	9.0
3	秦应雄	华中科技大学激光技术国家重点实验室	44	299	10.0	14.0
4	于本海	华中科技大学激光技术国家重点实验室	9	96	7.0	9.0
5	胡兵	华中科技大学激光技术国家重点实验室	24	129	7.0	10.0
6	席再军	华中科技大学激光技术国家重点实验室	5	52	5.0	5.0