PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

• 作者: 吴玉广 杨红伟 赵春波
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: PDP LDPMOS VDNMOS MEDICI
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.06.006

摘要

提出了一种适合于PDP扫描驱动电路的高压功率LDPMOS和VDNMOS功率器件结构,此结构可用BCD工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉广	西安电子科技大学微电子所	46	226	8.0	13.0
2	赵春波	西安电子科技大学微电子所	4	26	2.0	4.0
3	杨红伟	西安电子科技大学微电子所	2	3	1.0	1.0