大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究

• 作者: 卢文壮 左敦稳 徐锋 王珉 褚向前 黎向锋
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CVD金刚石 B掺杂 性能 大面积
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 726-730
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.007

摘要

研究了采用B2O3作为掺杂源以EACVD法沉积大面积掺杂CVD金刚石膜,用SEM、Raman、二次离子质谱仪、四探针电阻仪等对B掺杂金刚石膜进行了分析.结果表明直径达100mm的大面积B掺杂金刚石膜的晶粒分布均匀,非金刚石碳含量较少,生长速率达到10μm/h以上;B掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,高浓度掺杂可以细化晶粒,在高浓度掺杂的膜中存在一定的非晶态碳;金刚石膜中B的含量在一定范围内随着掺杂源浓度的增加而正比增加;金刚石膜的电阻率随着掺杂源B2O3的浓度的增加而下降,当掺杂达到一定浓度时,金刚石膜的电阻率逐渐趋向稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢文壮	南京航空航天大学机电学院	94	520	12.0	17.0
2	左敦稳	南京航空航天大学机电学院	510	3780	26.0	32.0
3	徐锋	南京航空航天大学机电学院	85	541	13.0	18.0
4	王珉	南京航空航天大学机电学院	205	2631	27.0	40.0
5	黎向锋	南京航空航天大学机电学院	109	810	15.0	20.0
6	褚向前	南京航空航天大学机电学院	2	32	2.0	2.0