p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究

• 作者: 华缜 武卫兵 邱继军 靳正国
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学沉积 p型硫氰酸亚铜薄膜 太阳能电池 纳米晶太阳光电池 极薄吸附层太阳能电池
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 页码范围: 1088-1093
• 页数: 6页
• 分类号: TQ147.1
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.09.010

摘要

采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3-SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜.通过XPS分析表明:2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有p型半导体特征.研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响.结果表明:在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7 eV,具有较高的透光率.电流-时间或电位-时间的变化曲线表明:利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳正国	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	55	517	13.0	18.0
2	武卫兵	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	10	74	6.0	8.0
3	华缜	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	5	47	5.0	5.0
4	邱继军	天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	13	108	7.0	10.0