多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

• 作者: 余云鹏 余楚迎 姚若河 林揆训 林璇英 王照奎 魏俊红 黄文勇 黄锐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 气相结晶 多晶硅薄膜 晶粒生长 SiCl4
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 3950-3955
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.061

摘要

以SiCl4-H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出"气相结晶"过程是晶粒长大的一个重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	黄锐	汕头大学物理系	9	73	5.0	8.0
4	姚若河	华南理工大学应用物理系	126	611	11.0	18.0
5	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
6	余楚迎	汕头大学物理系	27	321	9.0	17.0
7	王照奎	汕头大学物理系	7	40	4.0	6.0
8	魏俊红	汕头大学物理系	5	42	4.0	5.0
9	黄文勇	广东韩山师范学院物理系	2	28	2.0	2.0