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摘要:
根据电子镇流器控制器对基准电源的设计要求,利用不同电流密度下两晶体管基极-发射极电压差的正温度特性,通过镜像电流源方式产生PTAT(proportional to absolute temperature)电流,再结合基极-发射极电压本身的负温度特性产生的电流,形成带隙基准电流源.仿真结果表明,该基准源的性能指标能满足系统设计的要求.
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内容分析
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文献信息
篇名 电子镇流器控制器中带隙基准源的设计与实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 带隙基准源 灵敏度 电源抑制比
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目 设计与开发
研究方向 页码范围 61-64
页数 4页 分类号 TM923.61
字数 2374字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 许维胜 同济大学半导体与信息技术研究所 153 1846 22.0 38.0
2 余有灵 同济大学半导体与信息技术研究所 72 381 9.0 17.0
3 吴启迪 同济大学半导体与信息技术研究所 217 4239 34.0 59.0
传播情况
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引文网络
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2006(1)
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
灵敏度
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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