重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合

• 作者: A.Mascarenhas 吕毅军 张勇 杜武青 辛火平 郑健生 高玉琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaPN 光致发光 等电子陷阱
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 889-893
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.001

摘要

通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉琳	厦门大学物理系	22	66	4.0	7.0
2	吕毅军	厦门大学物理系	26	77	4.0	8.0
3	郑健生	厦门大学物理系	17	28	4.0	4.0
4	张勇		5	3	1.0	1.0
5	A.Mascarenhas		2	1	1.0	1.0
6	辛火平	美国加利福尼亚大学电机工程系	3	1	1.0	1.0
7	杜武青	美国加利福尼亚大学电机工程系	3	1	1.0	1.0