3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析

• 作者: 封先锋 李留臣 蒲红斌 陈治明 马剑平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 液相外延 硅
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 945-949
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 3403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.015

摘要

3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析,结果表明所制备的样品为3C-SiC单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	李留臣	西安理工大学晶体生长设备研究所	25	153	8.0	11.0
3	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
4	马剑平	西安理工大学电子工程系	19	114	7.0	10.0
5	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0