0.18μm CMOS工艺全集成LC谐振压控振荡器的优化设计

• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 射频晶体管 测试结果 相位噪声 信号晶体管 晶体管设计 振荡频率 全集成 优化设计 本地振荡器 压控振荡器
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN752
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了用0.18μm六层金属混合信号/射频CMOS工艺设计的两个LC谐振压控振荡器,给出了优化设计的方法、步骤和测试结果.两个振荡器均使用片上元件实现.第一个振荡器采用混合信号晶体管设计,振荡频率为2.64GHz,相位噪声为-93.5dBc/Hz@500kHz.第二个振荡器使用相同的电路结构,但采用射频晶体管设计,振荡频率为2.61GHz,相位噪声为-95.8dBc/Hz@500kHz.在2V电源下,它们的功耗均为8 mW,最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm.