一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

• 作者: 刘帘曦 朱樟明 朱磊 杨银堂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 带隙电压基准源 二次分压 温度补偿
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 542-546
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.012

摘要

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20～1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器.采用Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为645μm×196μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱磊	西安电子科技大学微电子研究所	22	283	10.0	16.0
3	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
4	刘帘曦	西安电子科技大学微电子研究所	22	372	10.0	19.0