高性能MOS结构高频C-V特性测试仪

• 作者: 曹辉 谢嘉宁 陈国杰
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 变频 放大器 测试仪
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 产品设计与分析
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1|TM934.2
• 字数: 2166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1390.2004.11.007

摘要

MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段.本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法.该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国杰	佛山大学理学院	22	139	7.0	11.0
2	曹辉	佛山大学理学院	9	91	5.0	9.0
3	谢嘉宁	佛山大学理学院	10	54	5.0	7.0