CMOS运算放大器的辐照和退火行为

• 作者: 任迪远 余学锋 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS运算放大器 电离辐射 退火
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 731-734
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.023

摘要

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余学锋	中国科学院新疆理化技术研究所	22	152	6.0	12.0
2	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
3	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
4	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
5	胡浴红		5	20	3.0	4.0
6	王明刚		5	20	3.0	4.0
7	赵文魁		5	22	3.0	4.0