SiON对Si基SiO2 AWG偏振补偿的数值分析

• 作者: 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiON薄膜 Si基SiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 858-862
• 页数: 5页
• 分类号: TN814+.6
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.022

摘要

采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	安俊明	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	45	77	5.0	6.0
3	李建光	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	22	67	5.0	6.0
4	王红杰	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	32	93	6.0	7.0
5	胡雄伟	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	41	134	6.0	9.0
6	李健	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	92	1070	17.0	31.0
7	郜定山	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	13	42	4.0	6.0