衬底对钛酸铋铁电薄膜生长及性能的影响

• 作者: 王华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 钛酸铋 生长行为 溶胶-凝胶工艺
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: HIC技术
• 页码范围: 25-27,34
• 页数: 4页
• 分类号: TN44
• 字数: 3110字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.02.009

摘要

采用溶胶-凝胶工艺在Si和Pt/Ti/SiO2/Si两种衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了衬底对Bi4Ti3O12铁电薄膜生长及性能的影响.研究表明:Pt/Ti/SiO2/Si基Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化较高但易出现焦绿石相,而Si基Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴取向生长,有利于改善铁电薄膜与硅衬底之间的界面特性,但8μ(C/cm2的剩余极化却比前者有所降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子工业学院通信与信息工程系	98	463	13.0	17.0