BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制优化研究

• 作者: Shin-ichi Kurokawa Takaaki Furuya 孙毅 潘卫民 王光伟
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 高次模 阻抗 阻抗抑制 超导腔
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 加速器
• 页码范围: 317-320
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2004.03.021

摘要

BEPCⅡ500MHz超导腔是BEPCⅡ储存环的关键设备,腔中高次模的分布和阻抗将很大程度上直接影响束流的稳定. 因此,研究BEPCⅡ超导腔的高次模分布和高次模吸收器的吸收效果对实现BEPCⅡ指标至关重要. 为此,通过改变高次模吸收器的位置、铁氧体吸收材料的长度、厚度以及腔的渐变过渡波导的角度等对BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制进行了模拟优化研究,从而找到并确定了吸收器对高次模阻抗抑制的最优值. 同时,为证实模拟计算结果的正确性,对BEPCⅡ超导模型腔进行了高次模分布和吸收测量,得到了与计算一致的结果. 结果表明,经过细致优化腔的高次模吸收器,腔中大部分高次模被深度吸收了,那些具有潜在危险的高次模阻抗值降到了阈值以下,满足BEPCⅡ束流阻抗要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光伟	中国科学院高能物理研究所	32	102	5.0	8.0
2	潘卫民	中国科学院高能物理研究所	13	30	3.0	5.0
3	孙毅	中国科学院高能物理研究所	49	512	11.0	22.0