深亚微米CMOS运算放大器的综合

• 作者: 易婷 洪志良
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS运算放大器 模拟电路综合 直流工作点 可制造性电路设计
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: VLSI设计与测试及电子设计自动化
• 页码范围: 1631-1639
• 页数: 9页
• 分类号: TN402
• 字数: 7231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1003-9775.2004.12.002

摘要

利用一种计算电路直流工作点的技术,并采用基于BSIM3v3 MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度;同时提出一种综合策略,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件(如电源电压和温度)变化时,仍能满足性能要求.大量的实验结果表明:文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪志良	复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室	161	1248	18.0	29.0
2	易婷	复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室	25	169	7.0	12.0