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摘要:
用对靶溅射技术在MgAl2O4 (100) (MAO) 和SrTiO3 (100) (STO)单晶基底上制备Pt薄膜.基底温度为700℃时,Pt薄膜外延生长为(200)取向,Pt/STO 薄膜的电阻率很低,而Pt/MAO 薄膜表现出高电阻特征.此外,Pt (50nm)/La0.67Ca0.33MnO3 (50nm)/STO的制备和研究表明,在包括庞磁电阻材料的器件设计中,Pt是一种较好的电极材料.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 陶瓷单晶(100)基底上外延生长Pt薄膜
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Pt 薄膜 溅射 X射线衍射 原子力显微镜 庞磁电阻
年,卷(期) 2004,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 690-693
页数 4页 分类号 O448
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.047
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张丽 聊城大学物理科学与信息工程学院磁电子学实验室 48 278 6.0 16.0
2 赵昆 聊城大学物理科学与信息工程学院磁电子学实验室 9 40 3.0 6.0
4 黄康权 香港中文大学物理系 8 22 3.0 4.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
Pt 薄膜
溅射
X射线衍射
原子力显微镜
庞磁电阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
38029
论文1v1指导